Part2에 이어, Part3에서는 반도체 산업의 생태계와 반도체 8대 공정이 다루어진다.

내용이 길어서 본 글은 반도체 산업 생태계 먼저 정리해 보았다.

👇🏻👇🏻아래는 앞선 메모리반도체 정리 링크 ๑ᴖ◡ᴖ๑ 👇🏻👇🏻

 

 

진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업 - Part2 메모리반도체

👇👇2탄인 시스템반도체 편에 이어 이번엔 Part2의 메모리반도체 편을 정리해보았다.👇👇😉😊 진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업 - Part2 시스템반도체 진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업

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반도체 산업의 분업 체계

설계 단계
1. IP기업(칩리스 기업)

특허 (IP : Intellectual Property)를 제공하고 그 대가로 로열티(사용료)를 받는 기업을 IP 기업이라고 한다. IP 기업은 설계에 대한 특허만 제공하기 때문에 자신들의 브랜드로 된 완제품이 없다. 그래서 IP 기업을 칩리스(Chipless) 기업이라고 부른다.

IP를 구매한 기업은 최적화된 IP를 활용해 전체 제품을 설계하는 데 걸리는 시간을 단축하고, 검증된 설계를 사용하기 때문에 설계 오류를 줄일 수 있다. 해당 특허가 기술의 표준이 되었을 때에는 "프랜드 (FRAND : Fair, Reasonable, And Non-Discriminatory) 선언"에 입각해 라이선싱을 하도록 독려하고 있다. 대표적인 IP기업으로는 ARM, 시놉시스, 케이던스가 있다.

ARM은 AP에 활용되는 저전력 산술 논리 유닛인 코어의 설계에 특화된 IP기업이다.

 

40년 가까운 업력을 가진 회사로 애플, 퀄컴, 미디어텍 등 AP를 만드는 대부분의 회사들이 ARM의 IP를 기반으로 AP를 설계하고 있다. 시놉시스와 케이던스는 반도체 칩 설계에 사용하는 전자 설계 자동화 프로그램은 EDA를 중심으로, IP라이선싱 사업도 함께 진행하는 회사이다.

 

2. 팹리스 기업

반도체를 설계하는 기업. 이 과정에서 IP 기업으로부터 IP를 구매하기도 하고, 자체 제작한 IP를 사용하기도 한다. 최종 설계 도면이 완성되면 제조를 전문으로 하는 파운드리 기업에 넘긴다. 이후 파운드리 기업에 넘긴다. 이후 파운드리 기업이 설계 도면을 바탕으로 반도체를 생산하면 , 해당 반도체에 자사의 브랜드를 붙여 판매한다. 이처럼 팹리스 기업은 기획(설계)하고, 판매하는(판매 및 유통) 역할만 하고, 나머지 (제조, 테스트 및 패키지)는 모두 외주로 맡겨서 진행한다.

 

대표적인 기업은 애플. 애플은 자사 제품에 사용할 반도체의 설계를 직접 하지만 제작은 파운드리 기업에 맡긴다. 애플 입장에서는 자사 제품에 사용할 목적 하나만으로 반도체 공장을 직접 운영하는 것이 큰 부담이기 때문이다. 팹리스 기업의 설계 역량은 매우 중요하다. IP들의 소비 전력, 발열량 등을 을고려하여 하나로 동작할 수 있도록 각 유닛들을 배치하고 전선으로 연결해 최종 설계 도면을 만들어야 한다. 팹리스 기업의 최종 설계 역량에 따라 반도체의 성능이 결정되는 것이다. 퀄컴, 미디어텍, 엔비디아, ARM, 애플 등이 있다.

 

3. 디자인 하우스

팹리스 기업이 설계 도면을 완성하면, 파운드리 기업이 설계 도면에 맞게 반도체를 제조한다.

이때 팹리스 기업과 파운드리 기업 사이에서 가교역할을 하는 곳이 디자인 하우스이다. 왜 중간에 필요한 것일까? 팹리스 기업이 파운드리 기업의 세부 공정 사항까지 모두 알기 어렵기 때문에 파운드리 공정 기업의 세부 공정을 잘 알고 있는 디자인 하우스가 팹리스 기업의 설계 도면을 파운드리 기업의 공정에 최적화하는 작업을 수행한다. *디자인하우스와 파운드리 기업은 기밀정보(공정 정보, 설계 자료 등)를 서로 공유한다. 이런 정보가 경쟁사에 노출되지 않도록 보통 디자인 하우스는 하나의 파운드리 기업과만 일을 한다.

팹리스 기업뿐만 아니라 파운드리 기업 입장에서도 디자인하우스가 필요하다. 파운드리 기업은 몇 개 되지 않지만, 팹리스 기업은 무수히 많다. 제조만 전문적으로 하는 파운드리 기업이 수많은 팹리스 기업의 요구 조건을 파악하고 일일이 대응하는 것은 현실적으로 어렵다. 그래서 디자인하우스가 이 역할을 대신한다. 대표적 기업은 거론할 수 없고, 개별 기업은 파트너십을 맺은 파운드리 기업의 웹페이지에서 확인이 가능하다.

 

제조 단계

1. 파운드리 기업

팹리스 기업은 계속해서 늘어나는 데 반해 반도체를 만들어 줄 파운드리 기업은 손에 꼽을 정도로 적다. 파운드리 기업이 반도체를 만들어주지 않으면 팹리스 기업은 원하는 반도체를 제때 출시할 수가 없다. 파운드리 기업이 주도권을 가질 수밖에 없는 환경이다. 슈퍼 을!

미세공정의 중요성. 설계 도면이 우수해도 그 설계대로 만들 수 없으면 노소용. 현재 10nm 이하의 미세 공정이 가능한 파운드리 리기업은 TSMC, 삼성전자 그리고 최근에 파운드리 사업에 뛰어든 인텔밖에 없다. 이 세 회사를 통하지 않고서는 최신 공정의 반도체를 만들기가 어렵다. 어떤 파운드리 기업과 일하느냐가 곧 경쟁력인 시대가 된 것이다.

TSMC, 삼성전자, UMC, 글로벌파운드리, SMIC, 인텔 등이 있다. TSMC가 독보적 1위 점유율 53% (2021년 기준).

2017년 시스템 LSI사업부에서 독립한 삼성전자 파운드리 사업부는 시장 점유율 18%로 2위에 올라 있다.

 

테스트 및 패키지 단계
1. OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test)

파운드리 기업에서 만들어진 반도체는 엄격한 테스트 과정을 거친다. 테스트를 통과한 반도체는 패키지 공정에 들어간다. 웨이퍼 위에 만들어진 반도체는 외부와 전기 신호를 주고받을 수 없고, 충격에도 취약하다. 웨이퍼 위의 반도체를 칩 단위로 자르고, 이 칩을 기판에 얹어 전기적으로 연결하고 포장재를 씌워야 비로소 우리가 아는 반도체 완제품의 모습이다. 이 과정이 바로 패키지 공정.​

테스트 및 패키지를 전문적으로 하는 기업을 OSAT기업(반도체 조립 테스트 외주 업체)이라고 한다.

 

아무리 성능이 뛰어난 반도체라도 외부 단자와 전기적인 연결이 매끄럽지 않으면 그 성능을 온전히 발휘할 수 없다. 또, 어떤 재질의 포장재를 사용하는지에 따라 열 방출 등에서도 차이가 생긴다. 반도체의 최종 성능이 테스트와 패키지 공정으로 결정되는 것이다.

IDM이나 파운드리 기업이 테스트와 패키지 작업까지 하는 경우도 있지만, 이 기업들이 보유한 기술로는 진행이 어려운 고난도 작업들이 있다. 이런 작업들은 OSAT기업에게 외주를 맡긴다. 대표적인 기업으로는 ASE, Amkor Technology, JCET STATS CHIPPAC, SPIL, 파워텍 등이 있다.

공정 설계 키트 (PDK)

파운드리 기업은 파트너십을 맺은 디자인 하우스에게 생산 가능한 반도체의 대략적인 성능과 회로 설계 방법 등을 담은 공정 설계 키트(PDK : Process Design Kit)를 제공한다. 이 공정 설계 덕분에 디자인 하우스는 파운드리 기업의 공정 스펙을 세세하게 알 수 있다

 

 

👇👇2탄인 시스템반도체 편에 이어 이번엔 Part2의 메모리반도체 편을 정리해보았다.👇👇😉😊

 

진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업 - Part2 시스템반도체

진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업 - Part1 반도체란? 간만에 아주 좋은 책을 발견해서 다시 공부 할 겸, 기록하는 글😊 이 책은 반도체 산업 및 공정에 대해 아주 쉽게 설명되어 있다. 잊고있었

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RAM

RAM은 크게 SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)으로 구분된다. SRAM과 DRAM모두 전원 공급이 차단되면 저장한 데이터가 소멸되는 휘발성 메모리이지만, 회로 구성이나 동작 속도에서 차이가 있다. SRAM은 트랜지스터 6개로 구성되어 있다. 반면 DRAM은 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개로 구성되어 있다. DRAM은 하나의 비트(Bit)를 저장하기 위한 메모리 셀의 회로 구성이 단순하여 SRAM보다 더 큰 용량을 더 저렴하게 만들 수 있다. 반면 SRAM은 비용이 비싸지만, 동작 속도가 DRAM보다 100배 이상 빠르다. 이런 특징 때문에 SRAM은 꼭 필요한 용량만 만들어 CPU의 메모리 유닛에 속하는 캐시 메모리로 활용된다. 우리가 일반적으로 말하는 RAM이 바로 DRAM인것. 메모리 반도체 시장에서 가장 큰 규모를 차지하는 DRAM에 대해 알아보자.

 

DRAM

동적 RAM. 왜 동적(Dynamic)인걸까? DRAM의 구조와 동작원리 때문이다. DRAM은 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터가 연결되어 있는 1TIC 구조이다. 저장되는 데이터는 이진수로 이루어져 있고(0과 1). MOSFET을 켜서 캐패시터에 전자를 채워 넣으면 DRAM 셀에 데이터 1이 저장된다. MOSFET을 꺼서 캐패시터에 전자가 없는 상태가 되면 DRAM 셀에 데이터 0이 저장됨. 이렇게 MOSFET을 통해 캐패시터 내 전자의 유무를 조절하여 데이터를 저장한다. 그런데 문제가 있지. 캐패시터에 채워 넣은 전자는 시간이 지날수록 조금씩 새어 나간다. DRAM셀에 저장된 데이터 1이 시간이 지나면서 0으로 바뀌는 것이다. 따라서 캐패시터의 전자가 빠져나가지 않도록 주기적으로 전자를 채워주는 리프레시(Refresh)작업을 해줘야 한다. 데이터를 저장한 후에도 계속 리프레시 작업을 해줘야 하기 때문에 동적 RAM이라 불리는 것. 반면, 리프레시 작업이 필요하지 않은 SRAM은 정적(Static)RAM이라고 불리게 된 것이다.

 

DRAM은 저장된 데이터를 읽는 것도 편하다. 전자는 많은 쪽에서 적은 쪽으로 이동하려는 특성이 있다. 캐패시터에 연결된 MOSFET을 켰을 때 전자가 MOSFET을 통해 빠져나온다면, 캐패시터에 전자가 있었다는 의미로 해석할 수 있다. like 물통 거꾸로 들고 뚜껑 열었을때, 물 흘러나오면 물통안에 물이 있었다는 걸 알 수 있는 것과 같은 이치.

반대로 MOSFET을 켰을 때 전자가 나오지 않는다면, 이를 통해 캐패시터에는 0이 저장되어 있었다는 걸 알 수 있겠죠? 이런 개념.

 

DRAM의 속도 DDR (Dual Data Rate)

CPU는 데이터를 주고, DRAM은 데이터를 받아 저장한다. 컴터가 동작한다는 것은 크게 보면 주고받는 과정이라 할 수 있다. 근데 아무 때나 주고받으면 엄청난 비효율이 발생함. 정해진 시점에 맞춰 데이터를 주고받아야 한다. 이 정해진 시점이 바로 클럭이다. CPU와 DRAM은 클럭에 맞춰 데이터를 주고받는다. 클럭에는 상승(Rising)과 하락(Falling)이 있다. 상승 시점에만 데이터를 전송하는 방식은 SDR(Single Data Rate)이다. 반면, 상승과 하락의 두 시점 모두에서 데이터를 보낼 수 있는 방식은 DDR(Dual Data Rate)이다.

하나의 클럭에 데이터를 2배로 처리할 수 있는 DDR방식이 SDR 방식보다 2배 더 빠르다. 그래서 현재 나오는 DRAM은 모두 DDR방식을 사용하고 있다. DDR방식에도 DDR1부터 DDR5까지 다양한 버전이 있다. DDR뒤에 붙는 숫자가 높을수록 데이터 처리 속도는 빠르고 전력 소모가 적다. 보통 버전이 한 번 업그레이트될 때마다 약 2 배 빨라진다. 현시점에서는 DDR5가 가장 최신 버전이지만, 시장에서는 여전히 DDR4 제품들이 주류를 이루고 있다.

DRAM 시장

시장 조사 전문 업체인 Trend Force에 따르면, 2021년 기준 DRAM 시장 1위는 42.3% 삼성전자, 2위는 29.7% 하이닉스, 3위는 22.3% 미국의 마이크론이다. 이 세 회사의 점유율이 무려 94.3%이다.

ROM

하드디스크(HDD)에서 SSD로

ROM은 주기억 장치인 RAM을 보조하는 동시에 데이터를 저장하는 역할을 한다. 전원을 끄더라도 데이터가 보존되는 비휘발성 메모리. 하드디스크(반도체 아님)는 충격에 약하며 처리속도가 느리다. 반면, 반도체 기술과 함께 등장한 SSD(Solid State Drive)는 데이터의 저장과 읽기가 전자적으로 이뤄지고, 하드디스크와 달리 물리적인 구동이 없어 소음이 발생하지 않고 충격에 강하며 데이터 처리 속도가 훨씬 빠르다. SSD로 ROM 시장이 재편되면서 최근에는 SSD에 활용되는 NAND 플래시메모리가 DRAM과 함께 메모리 반도체의 대표 주자로 자리매김하고 있다.

SSD에는 DRAM과는 다른 구조를 가진 플래시 메모리라고 불리는 반도체 소자가 들어간다. DRAM과 플래시 메모리의 가장 큰 차이는 0과 1의 데이터를 저장하는 메모리 셀의 구조이다. DRAM의 메모리 셀은 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 이루어져 있다. 전자가 저장되는 캐패시터가 스위치 역할을 하는 트랜지스터와 물리적으로 연결되어 있어 필연적으로 전자의 소실이 발생한다. 그래서 꾸준히 리프레시 작업을 해야 함. 반면, 플래시메모리는 플로팅 게이트(Floating Gate)라고 불리는 절연체에 둘러싸인 구조에 전자를 보관함으로써 데이터를 저장한다. (플로팅 게이트에 전자가 없으면 1, 있으면 0이 저장 된다.)

물리적인 연결 자체가 없어(절연체로 둘러쌓여져서) 한번 저장된 전자는 소실되지 않는다. 즉, 리프레시 작업 필요 없음!

그러나 플래시메모리의 이러한 셀 구조는 읽기와 쓰기의 속도를 저하시킨다. 물론 소자를 직렬로 연결하고, 칩 여러 개를 묶어 하나의 SSD로 구현할 경우 쓰기와 읽기 속도를 빠르게 향상시킬 수 있다. 하지만 이 역시 기존 SSD와의 비교일 뿐이고, 개별 소자의 동작은 DRAM에 비해 매우 느리다.

 

NAND와 NOR 플래시메모리

플래시 메모리를 바둑판처럼 배열하면 하나의 평면에 수많은 플래시 메모리가 집적되면서 더 큰 용량을 갖게 된다. 이때 중요한 것은 플래시 메모리들을 연결하는 방식. 연결 방식에 따라 NAND플래시메모리와 NOR플래시메모리로 나누어지는데, 현재는 대부분이 NAND플래시메모리를 사용한다.

일정 개수의 플래시 메모리 셀들을 직렬로 연결한 것을 스트링(String)이라고 한다. NAND플래시메모리는 스트링들이 병렬로 연결된 상태이다. 아래 그림과 같이 하나의 스트링에 16개의 플래시 메모리 셀이 직렬로 연결되어 있고, 이런 스트링 4개가 병렬로 연결되어 있다. CPU가 스트링2번의 8번 셀을 선택해 저장된 정보를 읽어야 한다. 8번 셀 하나를 읽기 위해서 두 단계를 거치는 것. 그래서 NAND플래시메모리는 읽기 속도가 느리다.

반면 데이터를 쓰는 작업(기록,지우기)은 빠르다. 일반적으로 데이터는 하나의 셀이 아니라 연속된 셀에 이어서 기록된다. NAND플래시 메모리는 스트링으로 연결된 플래시 메모리 한 줄을 통째로 선택해 한번에 지우거나 기록할 수 있다. 예를 들어, 스트링2의 모든 셀(16개 셀)에 데이터를 기록한다면 1번 셀부터 16번 셀까지 하나씩 작업할 필요 없이 스트링2를 선택하고, 16개 셀에 동시에 데이터를 기록하는 단 두 단계만으로 쓰기 작업이 가능하다.

이번에는 아래 그림을 보면서 NOR플래시메모리의 특징을 살펴보겠다. NOR플래시메모리는 플래시메모리 셀들이 병렬로 연결되어 있다. CPU가 2번 행의 8번 열에 저장된 데이터를 읽어야 할 때, 한번에 그 셀을 선택해 데이터를 바로 읽을 수 있어 읽기 속도가 NAND플래시메모리보다 빠르다. 하지만 2번 행의 16개 셀 모두에 데이터를 기록한다면 셀을 하나씩 선택해 기록하는 과정을 16번 반복해야 하므로 쓰기 속도가 NAND플래시메모리에 비해 느리다.

NAND 플래시메모리 시장의 성장

일반적으로 저장해 놓은 데이터를 읽는 경우가 더 많기 때문에 데이터에 빠르게 접근할 수 있는 NOR플래시메모리가 주로 사용될 것 같지만, 실제 시장에서는 그렇지 않다. 경제적인 논리와 NAND플래시메모리의 읽기 속도 향상 방법으로 설명될 수 있다. 플래시메모리들을 직렬로 연결한 NAND플래시메모리는 고밀도로 집적하기 편한 반면, 병렬로 연결한 NOR플래시메모리는 집적하기가 어렵다.

집적이 편하다는 것은 더 쉽게 만들 들수 있다는 것이고, 결국 같은 용량일 때 가격이 더 저렴하다는 것을 의미한다. 경제성에서 NAND플래시메모리 여러 개를 묶어 사용하는 경우에는 대역폭이 늘어나는 효과가 발생해 느린 읽기 속도를 보완해 줄 수 있다. 이런 이유로, 현재 시장에서는 NAND플래시메모리가 대세로 자리 잡고 있다.

ROM은 속도 대신 용량을 선택한 부품으로 NAND플래시메모리 역시 용량을 키우는 방향으로 기술 개발이 진행되고 있다. 그런데 하나의 평면에 작게 만든 플래시메모리 소자들을 배치하여 용량을 증가시키는 기존 방법은 그다지 효율적이지 않다. 이에 연구원들은 다른 방법으로 더 큰 용량의 NAND플래시 메모리를 만들기 시작한다. 이때 나온 것이 바로 NAND플래시메모리를 아파트처럼 위로 쌓는 3D NAND플래시메모리이다. 3D NAND플래시 메모리 덕분에 훨씬 큰 용량의 플래시메모리를 만드는 것이 가능해졌다. 3D NAND플래시메모리는 2013년 삼성전자가 세계최초로 24단을 쌓으며 시작되었고, 이후 2014년 32단, 2015년 48단, 2017년 64단, 2018년 92단을 쌓으며 계속 높아지고 있다. 2015~2016년부터는 SK하이닉스, 키옥시아, 마이크론 등도 적층 기술을 이용해 3D NAND플래시메모리를 제작하기 시작했고, 2019년에는 SK하이닉스가 세계 최초 128단, 2020년에는 176단을 샇았다. 현재 3D NAND플래시메모리 집적 기술을 200단을 상회하고 있으며, 기술적인 난이도가 점점 높아지고 있다.

NAND플래시메모리 시장점유율

2021년 4분기 기준 NAND플래시메모리 시장 1위는 삼성전자 33.1%, 2위는 SK하이닉스(+Solidigm)19.5%, 3위는 일본의 키옥시아 19.2%, 4위는 WDC 14.2%, 5위는 미국의 마이크론 10.2%이다.

메모리계층구조

CPU는 왜 RAM과 ROM 두 개가 필요한 것일까? RAM의 용량을 크게 만들어 RAM만 쓰거나, ROM의 속도를 높여서 ROM만 쓰거나 하지.. 이에 대한 답을 얻기 위해서는 메모리 계층 구조를 이해해야 한다. 속도는 빠르지만 단기 기억만 가능한 RAM의 용량은 작게, 속도는 느리지만 장기 기억이 가능한 ROM의 용량은 크게 만드는 것이다. RAM은 속도가 빠르지만 용량이 작아서 적당한 가격 수준에서 만들 수 수있다. ROM역시 용량이 크지만 속도가 느리기에 적당한 가격 격수준이 가능하다. 속도는 RAM이 맡고, 용량은 ROM이 맡으면 결국 적당한 가격 수준에서 속도와 용량을 맞출 수 있는 것.

컴터에는 RAM과 ROM 외에도 레시스터와 캐시메모리가 사용된다. 이 모든 메모리 장치들은 메모리계층구조를 따른다. 메모리계층구조에 속하는 메모리 장치들은 자료의 보존성 ,가격, 속도, 용량 측면에서 서로 다른 특성을 갖고 있다.

속도가 빠른 순서대로 정렬하면, 레시스터(Register)->캐시메모리(Cashe Memory)->RAM->ROM의 순서.

동일한 용량이라고 할 때 레지스터가 가장 비싸고 ROM이 가장 싸다. 레지스터와 캐시메모리는 속도는 빠르지만 용량을 을크게 게만들기에는 가격이 너무 비싸 꼭 필요한 용량만을 만들어 CPU안에 넣는다. 반면 RAM은 레지스터나 캐시메모리보다는 속도가 느리지만, 이 둘보다는 큰 용량으로 만드는 것이 가능하다. ROM은 속도가 더 느린 대신 아주 큰 용량을 저렴하게 만들 수 있다.

레지스터, 캐시메모리, RAM은 속도가 빠른 편에 속한다. 감당할 수 있는 가격에 속도까지 맞추려면 저장 공간을 줄일 수 밖에 없다. 그래서 레지스터, 캐시메모리, RAM은 저장공간이 작다. 그리고 이들은 전원을 끄면 정보가 모두 사라지는 휘발성 메모리이다. (물론, 비휘발성이면서 RAM의 특성을 갖는 새로운 메모리소자들도 개발되고는 있다.) 반면 ROM은 속도보다는 저장 공간에 집중했다. 속도가 아주 느린 대신 그만큼 큰 저장 공간을 갖는다. ROM은 원래의 목적에 에맞게 전원을 을끄더라도 정보가 사라지지 않는 비휘발성 메모리이다.

치킨게임

스택Stack기술과 트렌치Trench방식

트렌치방식은 크기가 작은 고성능 반도체 소자를 만들 수 있지만, 공정이 까다롭고 불량이 발생하면 분석이 어려웠다. 반면, 스택 방식은 트렌치 방식보다 소자 성능은 떨어졌지만 생산이 용이하고 불량이 발생했을 때 분석이 쉬웠다. 결과는 스택 그룹의 승리. (삼성전자, 히타치, 미츠비시,마츠시타)

세번의 치킨게임이 벌어졌으며, 삼성전자 하이닉스 마이크론 세 회사의 빅3 체계가 굳어지고 지금까지 이 체계가 이어지고 있다.

 

메모리반도체의 가격변동성과 승자 독식 구조

시스템 반도체와 달리 메모리 반도체는 사이클이 있다. 가격이 크게 뛰어 기업의 이익이 급증하는 구간을 슈퍼 사이클이라고 한다. 슈퍼사이클이 끝나면 이내 가격이 큰 폭으로 떨어진다. 이처럼 메모리반도체 시장은 가격 변동성이 매우 크다. 이러한 가격 변동성은 1등 기업만 살아남을 수 있는 환경을 더욱 고착화한다. 메모리반도체가 처음 나오면 수요가 공급을 초과해 가격이 비싸다. 초기에 제품을 출시한 1등 기업은 높은 가격에 제품을 팔 수 있어 이익이 크게 늘어난다. 반면 후발 주자는 공급이 수요를 초과해 가격이 하락한 상태에서 제품을 출시한다. 가격이 낮으니, 이익 역시 낮을 수 밖에. 같은 제품을 팔더라도 먼저 시장에 제품을 내놓는 1등 기업이 수익을 독식하는 구조이다.

 

 

진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업 - Part1 반도체란?

간만에 아주 좋은 책을 발견해서 다시 공부 할 겸, 기록하는 글😊 이 책은 반도체 산업 및 공정에 대해 아주 쉽게 설명되어 있다. 잊고있었던 것들도 다시 되짚어 보면서 유익하게 읽었다. 책 :

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👆🏻👆🏻1탄에 이어 2탄은 시스템반도체에 관한 내용을 정리해보았다. 👇🏻👇🏻

  • CPU(Central Processing Unit) : 대표적인 시스템 반도체. 그러나 기억을 못함
  • RAM(Random Access Memory) : 단기기억을 담당하는 메모리 반도체. CPU가 일할때 필요한 데이터를 잠깐 기억함. 휘발성
  • ROM(Read Only Memory) : 장기기억을 담당하는 메모리 반도체. 처리속도 느림. 비휘발성(컴터꺼진후에도 데이터 저장되어있음)

CPU는 컴터의 두뇌라서 PC를 구입할때 CPU성능을 최우선으로 보는 사람들이 많다. 그러나 CPU의 성능이 좋아도 혼자서는 암것도 못함. CPU와 함께 일하는 RAM이 뒷받침되어야 빠르게 일처리됨. RAM 용량이 크면 CPU가 RAM에 더 많은 프로그램을 올려놓고 작업할 할수 있어 일처리속도가 빨라진다. "다다익램"이란 말이 괜히 나온게 아님.

 


시스템반도체

컴터의 두뇌역할 CPU / 그래픽처리 특화 GPU / 스마트폰이나 태블릿 PC의 두뇌역할 AP / 인공지능 시대에 떠오르는 AI 반도체 (NPU등)/ 빛을 전기 신호로 바꿔주는 이미지 센서 CIS


CPU의 구성과 작동 원리

CPU의 성능 아는 방법 : 코어(Core), 스레드(Thread), 클럭(Clock), 아키텍처(Architecture)에 따라 달라진다.

  • 코어 : 산술 논리 유닛에 해당하는 CPU의 핵심 부품으로 코어의 수는 CPU가 가진 물리적인 두뇌의 수를 나타낸다. 작업자 수
  • 스레드 : CPU가 처리할 수 있는 작업의 최소 단위. 소프트웨어적으로 동시에 몇가지 일을 처리할수 있냐. 1스레드는 한손을 쓰는것, 2스레드는 양손을 쓰는것
  • 클럭 : CPU가 얼마나 빠른 속도로 일을 처리하는지를 나타내는 지표. 단위는 헤르츠(Hz). CPU와 메모리가 데이터를 주고받을 때, 정해진 시점에 작업을 할 수 있도록 신호를 주는 역할을 한다.
  • 아키텍처 : CPU가 어떤 명령어 체계를 사용하고, 해석과 연산을 어떻게 분배할 것인지, CPU와 주변 부품들의 구성과 동작에 대한 전반적인 구조를 의미함. 같은 코어 수나 클럭 속도를 가지고 있어도 아키텍처에 따라 CPU의 성능이 달라진다.

CPU 시장

절대 강자 인텔과 AMD. 2021년 기준 인텔 63%, AMD 37% 점유율을 차지하고 있다.


그래픽 연산의 최강자, GPU

GPU는 CPU와 달리 동시에 여러 가지 일을 처리할 수 있다. 즉, 병렬성을 갖는다. CPU에 비해 하나의 코어가 가지는 능력치는 낮지만, 코어의 수가 훨씬 많기 때문에 방대한 양의 연산을 빠르게 처리할 수 있다. 그래픽 수준이 높아지면서 GPU의 역할이 중요해지고 있음.



GPU 시장

내장형 또는 외장형 GPU를 제작하는 회사는 엔비디아(NVIDA), AMD, 그리고 인텔 세개 뿐. 2021년 기준 전체 GPU시장의 56%를 엔비디아가, 26%를 AMD, 나머지 18%가 인텔이 점유하고 있다.

 


스마트폰의 두뇌, AP

Application Processor. 스마트폰의 두뇌 역할. 컴퓨터의 CPU와 무엇이 다를까?

컴터 본체를 열면 메인보드라 부르는 초록색 판 위에 CPU, GPU, 인터넷을 위한 통신 모뎀, RAM과 ROM을 비롯해 전력관리, 오디오, 그리고 입출력(I/O: Input/Output)장치들이 장착되어 있다. 그래서 이 많은 부품들을 연결하기 위해서는 메인보드가 있어야 하는 것. 컴터 본체가 클 수 밖에 없는 이유라고 할 수 있다.

 

근데 스마트폰은 작아야 하니, 이렇게 큰 메인보드를 넣을 수가 없다. 그래서 컴터 한 대에 들어가는 주요 부품들을 을하나의 반도체 칩에 집적해서 넣는다. 이 반도체 칩이 바로 AP인 것이다. 컴터에 메인보드가 있다면, 스마트폰에는 AP가 있는 셈. 흔히 AP를 반도체 기술의 집합체라고 부른다. AP처럼 여러 부품들이 하나의 반도체에 통합되어 하나의 시스템을 구성하는 형태를 단일 칩 시스템 (SoC : System on Chip)이라고 한다.

 

AP 시장

2022년 1분기 기준 AP 시장의 점유율은 미디어텍 38%, 퀄컴 30%, 애플 15%, 유니SOC 11%, 삼성전자 5%, 하이실리콘 1% 이다.

2세대 AI 반도체, NPU

많은 연산을 진행하는 데 특화된 GPU가 AI 분야에서 먼저 각광받았었다. 대규모 병렬 계산기로 방대한 양을 효율적으로 연산하는데 제격이다. 그럼 왜 GPU를 두고 NPU 반도체를 새로 만든걸까? AI알고리즘의 유무와 데이터 전송속도 그리고 가격 때문이다.

연산 결과물을 분석하기 위해서 별도의 소프트웨어가 필요하다. 또한 AI연산에 필요한 고속 데이터 전송 구조(아키텍처)가 없어 속도가 느리다. 게다가 GPU에는 그래픽 처리를 위한 여러 기능들이 구현되어 있는데, 이는 AI연산에는 불필요한 것들이다. GPGPU가 AI연산을 하는데 적합한 것은 맞지만, 여러모로 비효율적인 면을 가지고 있었던 것. 그래서 AI 알고리즘이 처음부터 탑재돼 있으면서 대규모 병렬 연산 후 고속 데이터 전송 구조까지 갖춘 장치인 NPU를 개발하게 된다. GPU의 기존 장점에, 그래픽 처리 관련 하드웨어를 과감하게 제거해서 가격적인 면에서도 충분한 이점을 갖고 있으며, 소비전력 역시 크게 게줄었다. AI연산에 최적화된 반도체인것.


NPU 시장

애플, 화웨이, 삼성전자, 퀄컴 등이 있다. 공통점은 스마트폰이나 태블릿에 탑재되는 AP를 만드는 업체라는 것. AI는 방대한 데이터와 이를 통한 학습이 중요하다. AP 제조사들은 자신들이 설계한 AP안에 NPU를 넣어 성능을 테스트함과 동시에 NPU가 처리하는 정보를 수집해 방대한 데이터베이스를 구축하고 있다. 이런 이유로 NPU시장에서는 전통적인 반도체 기업보다 IT기업들이 경쟁우위에 있다.

또 다른 2세대 AI 반도체, FPGA와 ASIC

  • FPGA(Field Programmable Gate Array) : 인공지능분야에서 각광. 상황에 따라서 산술 논리 유닛을 자유롭게 구성할 수 있는 반도체. CPU와 달리 코어의 구조를 원하는 대로 프로그래밍 할 수 있는 프로그래머블 코어가 쓰인다. 언제든지 사용자가 원하는 용도에 맞춰 춰설계를 변경해 쓸 수 있도록 만든 제품이라 할 수 있다. 특정 연산을 훨씬 빠르게 처리할 수 있다. 로봇, 인공지능 등의 하드웨어 가속기, 방산 분야, 통신 분야 등에서 주료 활용됨.

 

  • ASIC(Application Specific IC) : FPGA를 활용해 특정 상황에 최적화된 AI반도체를 설계했다면, 그 형태를 고정해서 대량생산함으로써 제작 단가를 낮출 수 있다. 이것이 특정 용도용 집적 회로, ASIC. 특화코어, 제어 유닛, 메모리유닛으로 구성된 반도체 제품으로 구성 자체는 CPU와 매우 비슷하게 보이지만, 특정 연산(기능)만을 수행하도록 제작되었다는 점에서 차이가 있다. 특화된 기능만 수행하기에 동작속도가 빠르고, 물리적인 크기가 작아 소비 전력이 작다. 다만, CPU에 비해 범용성이 매우 떨어진다. 암호화폐 채굴이 대표적인 활용사례. 이처럼 특정 용도로만 사용할 계획이라면 최적의 설계를 찾은 후, 형태를 고정해 ASIC로 만드는 게 더 이득이다. 다만, 특정 분야로 제작되었기 때문에 활용 가능한 분야 벗어나면 아예 사용할 수가 없고, 기능을 추가하기 위해서는 회로 단계에서부터 재설계를 해야 하므로 설계 변경이 빈번히 일어나는 분야에서 오히려 효용성이 떨어질 수 있다.
 

FPGA와 ASIC의 시장

FPGA 분야 1위 기업은 점유율 50%의 자일링스(Xilinx)이다. 2위는 2015년 업계 2위이던 알테라(Altera)를 인수한 인텔로 30~40%의 점유율을 차지하고 있다. 2020년에는 인텔의 영원한 라이벌 AMD가 자일링스를 인수하였다.

ASIC는 용도에 따라 한정된 기능만 수행하는 범용성이 없는 제품이다. 어떤 기업에서든 필요에 의해 설계되고 만들어질 수 있다. 따라서 대표기업을 꼽기가 어렵다.


3세대 AI반도체, 뉴로모픽 반도체

인간의 뇌신경계를 모방해 설계한 뉴로모픽 반도체. 데이터의 기억(메모리)과 연산을 동시다발적으로 진행하는 뉴로모픽 반도체가 연구되고 있다. CPU로 작업이 어려웠던 사람마다 다른 필체, 목소리, 생김새 등과 같이 정형화되지 않은 글자, 음성 , 이미지 등의 데이터를 훨신 더 잘 처리할 수 있다.

최근에는 멤리스터(Memristor)라 불리는 메모리 특성을 갖는 저항 소자를 뉴로모픽 반도체에 사용하려는 연구가 많이 진행되고 있다. 멤리스터가 상용화될 경우 소비 전력을 기존에 비해 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대된다.


빛을 기록하는 반도체, CIS

이미지 센서 CIS. 이미지센서는 크게 전하결합소자 CCD(Charge Coupled Device)와 CIS(Complimentary-Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor)로 구분된다. CCD는 전기 신호 처리 방식이 아날로그에 가까워 많은 전력을 소비했다.

반면, CIS는 이미 사용하고 있던 반도체 칩 제조 기술을 기반으로 제작해 CCD의 단점이었던 화소 집적의 어려움, 큰 소비 전력을 획기적으로 개선했다. 또한, 부가회로들을 하나의 칩에 동시에 만들 수 있었다. 단점이었던 신호의 잡음도 센서 기술과 소프트웨어를 활용한 이미지 후처리 기술을 통해 보완하면서 CIS는 CCD를 제치고 이미지 센서 시장을 장악한다. CIS 강자 - 일본 니콘, 캐논, 소니 등이 자사 카메라에 활용하기 위한 이미지 센서 개발에 앞장섬.

CIS는 스마트폰 등장으로 판도가 크게 바뀜. 전면카메라 1개, 후면 카메라 4개 (광각, 표준, 망원, 거리 측정)와 같이 서로 다른 특징을 갖는 여러 대의 카메라가 탑재되어 훨씬 많은 CIS를 필요하게 된 것. CIS를 필요로 하는 분야가 점점 많아지고 있다. 자율주행차, 로봇, 드론이 대표적.

CIS의 기술 또한 빠르게 발전하고 있다. 대표적으로 스몰 픽셀 기술. 고화소의 사진을 찍고 싶어 함. 같은 크기의 화소를 더 많이 집적하기 위해서는 더 넓은 공간이 필요하다. 즉, 이미지 센서의 크기가 커져야 한다. 하지만 이미지 센서의 크기를 키우면 '카툭튀' 디자인으로 이어지게 됨. 이러한 문제를 해결한 것이 스몰픽셀 기술. 이미지 센서의 크기를 작게 유지하면서 많은 화소를 집적할 수 있다.


CIS 시장

소니 39%, 삼성전자 23%, 옴니비전 13%, 그리고 기타 기업들(점유율 10%미만) 25%이다.



기타 시스템 반도체

1. DSPISP

DSP (Digital Signal Processor) 디지털신호처리에 특화된 반도체로 ADC, ALU, DAC의 세 단계로 구성되어 있다.

사람이 감지하는 소리나 빛과 같은 정보들은 모두 아날로그 신호인데, DSP의 신호 입력 측에는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 ADC(Analog-to Digital Converter)가 있다. ADC를 통해 바뀐 정보는 ALU에 의해 계산을 거치면서 처리된다. 이렇게 처리된 디지털 신호는 다시 사람이 인식할 수 있는 아날로그 형태의 신호로 바뀌어야 하는데, 이를 위해 DAC(Digital to Analog Converter)가 탑재된다. 특화된 DSP로는 ISP(Image Signal Processor)가 있다. 멀티미디어 기기 또는 디지털 통신 기기 등에 활용된다.

2. DDI

DDI (Disply Driving IC) 연산된 디지털 신호의 화면 정보를 아날로그 신호로 전환해 주는 반도체. TV, 노트북, 컴퓨터 모니터, 스마트폰과 같이 디스플레이가 존재하는 모든 곳에 필수로 탑재 된다.

3. PMIC

PMIC (Power Management IC) 안정적인 전력 공급을 돕는 반도체로, 전기가 공급되는 전자 제품에는 필수로 들어가 있다. 데스크톱 내에 CPU, GPU, DRAM, 냉각팬 등 다양한 부품들은 각기 다른 전압이 필요하다. 예를 들어 CPU, GPU, DRAM은 1~1.1V, 통신 모듈은 3.3~5V, SSD의 NAND 플래시 메모리는 10~15V를 필요로 한다. 콘센트에서 공급받는 전압인 220V로 부품 각각에 장착된 PMIC가 실제 소자들에 알맞은 은전압을 끊김 없이 일정하게 공급한다. 스마트폰도 크게 다르지 않다. AP, 이미지 센서, 디스플레이, 통신 칩, 메모리 반도체 등이 필요로 하는 전압이 모두 다르므로 많은 양의 PMIC가 필요하다. 또, 스마트폰 충전 시 전력을 제어하거나, 순간적으로 많은 전력을 을필요로 하는 부품들에 알맞은 전압을 공급할 할때에도 PMIC가 사용된다.


MCU란?

다재다능, 범용 프로세서인 만큼 비싼 CPU. CPU가 하기에는 너무 단순한 기능들을 처리하기 위해 만든 것이 바로 MCU이다. MCU는 단순한 기능을 하기 위해 만들어진 소형컴터와 같다. MCU에는 PC용 CPU 대비 낮은 사양의 CPU, 입출력 포트, 메모리, 통신 장치가 하나로 묶여 있다. MCU는 CPU만큼 복잡한 연산을 처리하지 않기에 오류 발생이 적다. 그래서 간단한 업무이지만 절대로 틀리면 안되는 즉, 높은 신뢰성을 필요로 하는 작업에 쓰인다. 대표적인 예가 차량용 반도체이다.

인텔진영 VS ARM 진영

컴터는 모바일 기기에 미해 전력 공급으로부터 자유롭다. 저전력보다는 고성능이 가장 큰 관심사. 고성능의 코어를 설계하는 회사로는 인텔과 AMD가 있다. 인텔이나 AMD의 코어 설계를 바탕으로 시스템 반도체를 만드는 회사들을 '인텔진영'이라고 부른다.

반면, 스마트폰은 저전력이 필수이다. 이 분야에서 두각을 드러낸 회사가 ARM. ARM은 적당한 성능의 저전력 코어를 설계하는 회사이다. 고성능이 중요한 시대에는 별 주목을 받지 못했지만, 저전력이 중요해지면서 ARM의 저전력 설계가 시장에서 큰 인기를 얻고 있다. 실제로 많은 AP 제조사들이 ARM의 설계를 바탕으로 저전력이면서도 고성능을 내는 AP를 만들고 있다. 애플의 A 시리즈 AP와 M시리즈 CPU, 퀄컴의 스냅드래곤시리즈 AP, 삼성전자의 엑시노스 시리즈 AP 모두 ARM 코어를 기반으로 하고 있다. 이렇게 ARM의 설계를 기반으로 시스템 반도체를 만드는 회사들을 'ARM진영'이라고 부른다.

이전에는 고성능이 필요한 분야에서 인텔-AMD코어 설계를, 저전력이 중요한 분야에서는 ARM 코어 설계를 바탕으로 시스템 반도체를 만들었다. 두 진영의 영역이 분리되어 있었다. 하지만 최근에는 두 진영 모두 저전력이면서도 고성능인 코어를 개발하고 있다. 또, 스마트폰과 컴터의 경계가 모호해지면서 두 진영이 부딪히는 영역이 계속 늘어나고 있다.

 

앞으로 어떻게 될련지,,, 🤔🧐

간만에 아주 좋은 책을 발견해서 다시 공부 할 겸, 기록하는 글😊

이 책은 반도체 산업 및 공정에 대해 아주 쉽게 설명되어 있다.

잊고있었던 것들도 다시 되짚어 보면서 유익하게 읽었다.   

책 : 진짜 하루만에 이해하는 반도체 산업
저자 : 박진성 
출판 : 티더블유아이지
발행 : 2023.02.06
 

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반도체 산업 지도

반도체 원리와 유형

P형과 N형 반도체를 조합하면 다양한 기능을 하는 반도체 소자를 만들 수 있다.

대표적인 소자로는, 정류기능을 하는 다이오드 / 증폭, 스위치 기능을 하는 트랜지스터 가 있다.

트랜지스터는 양극성 접합 트랜지스터(BJT)와 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)가 있다.

우리가 사용하는 컴퓨터, 스마트폰 같은 전자 기기에는 대부분 MOSFET이 사용된다.

 

  • MOSFET 은 BJT보다 낮은 전력으로 동작하고, 더 작게 만들 수 있고(간단한 구조 덕에), 스위칭 속도도 BJT보다 훨씬 빠르다. 집적회로와 MOSFET이 만나 작은 공간 안에 수많은 트랜지스터를 넣고 이를 대량 생산한다.
  • BJT 는 큰 전류를 사용하는 전력 반도체나 전류를 직접 제어하는 아날로그 신호처리와 같은 특수분야에서 꾸준히 사용된다.

PNP BJT / NPN BJT

P형 MOSFET / N형 MOSFET

PN다이오드/ BJT/ MOSFET

 

선폭은 MOSFET에서 소스와 드레인 사이의 거리를 의미한다.

칩의 크기가 작아짐에 따른 효과.

반도체 소자를 작게 만들면, 한 한장의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 만들 수 있을 뿐만 아니라, 버려지는 웨이퍼의 크기도 줄어든다. 칩 크기가 작아지면 소비 전력까지 줄일 수 있으니 미세 공정의 일석삼조 효과 (고성능, 높은 경제성, 낮은 소비전력)가 있다.

Planar FET, FinFET, GAAFET

But, 소자의 크기가 작아지면서 문제도 발생되는데, 대표적인 문제가 바로 누설전류이다.

MOSFET의 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르면 ON, 그렇지 않으면 OFF인데,

반도체가 OFF 상태임에도 불구하고 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르는 현상을 말한다.

누설전류가 생기면 반도체가 스위치 기능을 제대로 수행하지 못할 뿐 아니라, 불필요한 전력이 낭비된다.

저전력 구동이 중요해진 최근트렌드와 맞지 않다.

  1. 최초의 반도체 소자는 평면 Planar 구조였다. 그러나 이 구조로는 누설 전류를 완벽히 차단하기는 어렵다.
  2. 3차원 구조를 갖는 FinFET 이 개발 되면서 이 단점을 보완함. 물고기의 지느러미(Fin) 형태를 를가진 구조를 만들고, 이 구조를 게이트가 감싸는 형태의 MOSFET이다. 소스와 드레인 간 거리가 짧더라도, 채널의 세 면을 감싸고 있는 게이트 덕에 누설 전류를 조금 더 낮출 수 있다. 앞의 평면구조의 한면을 막을때보다 핀펫은 세면을 모두 막기 때문에 누설전류를 더 차단 하는 원리인 것이다.
  3. 그렇다면, 네 면을 막으면 어떨까? 그것이 GAAFET 이다. 게이트가 네 면을 모두 감싸는 형태(Gate-All-Around)로 누설 전류를 더 효과적으로 제어할 수 있다. 또한 게이트가 네 면을 감싸고 있어 같은 면적에 더 많은 채널과 반도체 소자를 집적할 수 있는 장점도 있다.

 

 

 

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